GaNパワーデバイス (GaN Power Device)

新型ノーマリオフGaN MISHEMT (New Normally-off GaN MISHEMT

A new normally-off GaN MISHEMT changes the world of power electronics

Compound Semiconductor Device Consulting

GaAs HBT and pHEMT

高周波無線通信用フロントエンドモジュールのキーデバイスであるGaAs HBT to pHEMT に関する問題を解決します

Device Modeling

GaN HEMT device model development

Large-signal device modeling for RF GaN HEMT including trapping effect

Technology Fields

  • GaAs Electronic Devices (HBT, pHEMT, etc.)
  • GaN Electronic Devices (GaN HEMT, MISHEMT, Diodes, etc.)
  • Large-Signal Device Modeling

Collaboration

イメージ : 納得いくまで提案いたします

Hosei University

GaN MISHEMT, GaN pn-Diode

イメージ : 分かりやすさを心がけています

Nagoya Institute of Technology

GaN/Si epitaxy, ALD GaN MISFETs

イメージ : 地域に根ざしたWEB制作会社です

Hiroshima University

GaN/Si Power Devicess

サービス案内

GaN Power Device R&D

Collaboration with Hosei University and Nagoya Institute of Technology

Compound Semiconductor Device Consulting

Introduction of foundry service companies

Large-Signal Device Modeing

GaN HEMT, GaAs pHEMT, etc.